SAMSUNG SOLID STATE DRIVE SSD 256GB M.2 NVMe MZVLQ256HAJD-00000

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Descrizione

Samsung PM991. Capacità SSD: 256 GB, Fattore di forma dell’unità SSD: M.2, Velocità
di lettura: 2050 MB/s, Velocità di scrittura: 1000 MB/s, Componente per: PC
Marca: Samsung
Nome del prodotto: PM991
Codice prodotto: MZVLQ256HAJD-00000
codice EAN/UPC: 5704174045144
Specifiche
Caratteristiche
Fattore di forma SSD
La dimensione dell’unità a stato solido, espressa in pollici M.2
Capacità dell’unità a stato solido (SSD)
La capacità di archiviazione dei dati del Solid State Drive. 256 go
Interfaccia
Porte di interfaccia per collegare parti di apparecchiature. USB (Universal Serial
Bus) è diventata l’interfaccia cablata più popolare per collegare le periferiche.
USB 2.0 supporta velocità fino a 480 Mbit/s (USB 1: 12 Mbit/s). L’interfaccia
FireWire è anche nota come standard IEEE 1394. L’IDE avanzato (EIDE) è talvolta
indicato come Fast ATA, Fast IDE o ATA-2. PCI Express 3.0
Tipo di memoria
Memoria ECC per questa configurazione, inclusa la dimensione espressa in byte,
seguita dalla velocità espressa in megahertz, seguita dal tipo di memoria 3D TLC
NAND
NVMe
NVM Express (NVMe) o NVMHCIS (Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification)
è una specifica di interfaccia del dispositivo logico aperto per l’accesso a supporti
di memorizzazione non volatili collegati tramite un bus PCI Express (PCIe). NVM
Express, come interfaccia logica del dispositivo, è stato progettato per sfruttare
la bassa latenza e il parallelismo interno dei dispositivi di archiviazione a
stato solido.
versare il composto
A cosa serve questo prodotto come parte (componente per). PC
Le chiffrement matériel
Caratteristiche
Vitesse de lecture
La velocità con cui un dispositivo può leggere i dati. 2050 lug/s
Vitesse d’écriture
Velocità di scrittura per tipo di supporto; espresso in byte al secondo 1000 Mo/s
Lezione aléatoire (4KB) 64000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 220000 IOPS
Fattore di forma dell’unità SSD:
M.2
Capacità SSD:
256 GB
Interfaccia:
PCI Express 3.0
Tipo memoria:
3D TLC NAND
NVMe:
criptaggio hardware:
Velocità di lettura:
2050 MB/s
Velocità di scrittura:
1000 MB/s
Lettura casuale (4KB):
64000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB):
220000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
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